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巨磁阻傳感器測(cè)量電流設(shè)置偏置磁場(chǎng)電阻現(xiàn)象

發(fā)布時(shí)間:2024-03-22 16:27:01點(diǎn)擊量:

 為了使巨磁阻傳感器工作在線性區(qū),提高測(cè)量精度,需要給傳感器施加一固定已知磁場(chǎng),稱為磁偏置,其原理類似于電子電路中的直流偏置。與一般測(cè)量電流需將電流表接入電路相比,這種非接觸測(cè)量不干擾原電路的工作,具有特殊的優(yōu)點(diǎn)。


 (GMR)巨磁電阻效應(yīng)是指用時(shí)較之無外磁場(chǎng)作用時(shí)存在顯著變化的現(xiàn)象,一般將其定義為gmr=其中(h)為在磁場(chǎng)h作用下材料的電阻率(0)指無外磁場(chǎng)作用下材料的電阻率。根據(jù)這一效應(yīng)開發(fā)的小型大容量計(jì)算機(jī)硬盤已得到廣泛應(yīng)用。磁性金屬和合金一般都有磁電阻現(xiàn)象,所謂磁電阻是指在一定磁場(chǎng)下電阻改變的現(xiàn)象,人們把這種現(xiàn)象稱為磁電阻。所謂巨磁阻就是指在一定的磁場(chǎng)下電阻急劇減小,一般減小的幅度比通常磁性金屬與合金材料的磁電阻數(shù)值約高10余倍。


 電子在導(dǎo)電時(shí)并不是沿電場(chǎng)直線前進(jìn),而是不斷和晶格中的原子產(chǎn)生碰撞(又稱散射),每次散射后電子都會(huì)改變運(yùn)動(dòng)方向,總的運(yùn)動(dòng)是電場(chǎng)對(duì)電子的定向加速與這種無規(guī)散射運(yùn)動(dòng)的疊加。稱電子在兩次散射之間走過的平均路程為平均自由程,電子散射幾率小,則平均自由程長(zhǎng),電阻率低。電阻定律R=ρl/S中,把電阻率ρ視為常數(shù),與材料的幾何尺度無關(guān),這是忽略了邊界效應(yīng)。當(dāng)材料的幾何尺度小到納米量級(jí),只有幾個(gè)原子的厚度時(shí)(例如,銅原子的直徑約為0.3nm),電子在邊界上的散射幾率大大增加,可以明顯觀察到厚度減小,電阻率增加的現(xiàn)象。

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